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QLC Flash:当速度达到最优成本容量的需要

QLC Flash:当速度达到最优成本容量的需要

QLC闪光是什么?

Quad-level细胞(QLC) flash是一个capacity-optimised NAND内存技术,提供了一个per-terabyte成本相匹配或比硬盘驱动器(hdd)。顾名思义,QLC商店四位/细胞,提供NVMe性能较高的能力。

QLC和SLC和多层陶瓷和薄层色谱

QLC flash中最新的一个长期趋势的挤压更位/细胞在NAND闪存设备。这里有一个简短的概述的技术随着时间的推移演变:

  • 单层细胞(SLC)闪光:一位细胞,两种可能的电压状态
  • 多层细胞(多层陶瓷)闪光:两位/细胞,四种可能的电压状态
  • Triple-level细胞(TLC)闪光:三位/细胞,八可能电压状态
  • Quad-level细胞(QLC)闪光:每单元4个字节,16个可能电压状态

可以看到,可能电压状态的数量翻倍,每个额外的存储在NAND细胞。有一个固有的权衡能力和复杂性增加的比特数你可以在单个细胞。

需要更大的电精密占的额外复杂性管理多个读/写过程中电压状态。在实践中,这可以转化为减少NAND闪存设备的性能和寿命。

NAND耐力是测量程序/擦除(P / E)周期。到目前为止,制造商已经能够生产QLC flash与1000 P / E周期,这是数量级小于有什么可能SLC flash (100000 P / E周期)。

然而,性能和耐力都是相对的。Flash仍然是数量级比hdd性能,有变通处理的耐力限制QLC(例如,使用Flash SLC作为缓存)。这种权衡采用TLC当他们第一次出现放缓,但技术改善随着时间的推移,现在大多数企业flash存储阵列提供高性能、可靠性,用TLC NAND和速度。随着QLC flash,现在可以享受所有的flash存储器的速度在一个成本能力,可以匹配或击败硬盘存储阵列。

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QLC Flash的好处

常见的QLC闪存的好处包括:

  • 较低的总拥有成本(TCO) read-centric工作负载
  • 降低数据中心的足迹
  • 一个指数增加容量与所有的flash的速度

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