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Quad-level细胞(QLC) flash是一个capacity-optimised NAND内存技术,提供了一个per-terabyte成本相匹配或比硬盘驱动器(hdd)。顾名思义,QLC商店四位/细胞,提供NVMe性能较高的能力。
QLC flash中最新的一个长期趋势的挤压更位/细胞在NAND闪存设备。这里有一个简短的概述的技术随着时间的推移演变:
可以看到,可能电压状态的数量翻倍,每个额外的存储在NAND细胞。有一个固有的权衡能力和复杂性增加的比特数你可以在单个细胞。
需要更大的电精密占的额外复杂性管理多个读/写过程中电压状态。在实践中,这可以转化为减少NAND闪存设备的性能和寿命。
NAND耐力是测量程序/擦除(P / E)周期。到目前为止,制造商已经能够生产QLC flash与1000 P / E周期,这是数量级小于有什么可能SLC flash (100000 P / E周期)。
然而,性能和耐力都是相对的。Flash仍然是数量级比hdd性能,有变通处理的耐力限制QLC(例如,使用Flash SLC作为缓存)。这种权衡采用TLC当他们第一次出现放缓,但技术改善随着时间的推移,现在大多数企业flash存储阵列提供高性能、可靠性,用TLC NAND和速度。随着QLC flash,现在可以享受所有的flash存储器的速度在一个成本能力,可以匹配或击败硬盘存储阵列。
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常见的QLC闪存的好处包括:
亚搏充值后支付宝能申诉吗纯存储®FlashArray / / C使用flash SSD模块不像其他存储供应商。纯的DirectFlash®模块通过NVMe允许原始flash直接连接,减少延迟和增加吞吐量。这允许FlashArray / / C的性能最大化其QLC flash模块,同时仍然提供成本能力与混合和硬盘存储阵列。
其他津贴使用FlashArray / / C的存储需求包括:
NVMe性能以更低的成本与该行业的第一all-QLC企业级存储阵列