容量存储

告别混合存储

企业级QLC混合不能。纯FlashArray / / c中首先all-QLC flash array-delivers NVMe性能,hyper-consolidation和简化管理您的数据。

所有的flash性能在99.9999%的可用性

你的24 x7没有对不一致的性能或意外中断。FlashArray / / C是企业准备和提供证明six-nines可用性、无干扰升级,和一致的single-millisecond延迟最苛刻的环境。

使Flash主流

的all-QLC FlashArray / / C, DirectFlash™模块24.7结核病和49结核病容量选择,提供成本经济,消除需要硬盘驱动器和混合数组。体验更快的速度和更低的延迟+节省电力。

最大化存储大容量的应用程序

保证数据效率

纯DirectFlash模块和独特的数据简化技术结合提供最实用有效的能力。你不必妥协阵列性能或诉诸旋转磁盘或厂商的噱头来满足数据密集型和capacity-sensitive工作负载。

得到capacity-optimised所有的flash存储和消除数据孤岛

可靠性最高、最佳配置选项

交付99.9999%可用性之间的有效容量选择1.9 pb 3 u到5.2 pb 9 u, latency-tolerant FlashArray / / C,可用性设计,满足数据密集型工作负载的产能扩张需求。

QLC-optimised存储可用性为99.9999%

从来没有支付额外的特性

100%的非破坏性产品架构灵活的购买计划,常绿订阅™释放你从复杂性,风险,和昂贵的升级过程遗留存储。并获得纯度的所有功能操作环境而无需额外的费用。

巩固大容量数据存储

FlashArray / / C规范

能力*

物理

/ / c60 - 247

797结核病有效

247年结核病生

3 u;1000 - 1240瓦(名义最高)

92.2磅(41.8公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 345

1.2 pb有效

345年结核病生

3 u;1000 - 1240瓦(名义最高)

94.4磅(42.8公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 494

1.9 pb有效

494年结核病生

3 u;1000 - 1240瓦(名义最高)

97.7磅(44.3公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 839

3.2 pb有效

839年结核病生

6 u;1480 - 1760瓦(名义最高)

177.7磅(80.6公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 984

3.8 pb有效

984年结核病生

3 u;1000 - 1240瓦(名义最高)

97.7磅(44.3公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 1185

4.6 pb有效

1.2 pb生

6 u;1480 - 1760瓦(名义最高)

185.4磅(84.1公斤)

15.35 x 18.94 x 29.72”底盘

/ / c60 - 1531

5.9 pb有效

1.5 pb生

9你;1960 - 2280瓦(名义最高)

265.5磅(120.4公斤)

15.35 x 18.94 x 29.72”底盘

/ / c60 - 1672

6.4 pb有效

1.7 pb生

6 u;1480 - 1760瓦(名义最高)

177.7磅(80.6公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

/ / c60 - 1877

7.3 pb有效

1.9 pb生

9你;1960 - 2280瓦(名义最高)

273.2磅(123.9公斤)

5.12 " x 18.94 " x 29.72 "底盘

(*)有效容量假设哈,突袭,和元数据开销,GB-to-GiB转换,包括数据简化的好处和不间断内联重复数据删除,删除压缩和模式。在5比1平均数据简化计算,不包括自动精简配置。

高容量存储是什么?

从小型办公室到大型企业,建立一个本地存储解决方案的行为通常是一个平衡成本、容量和性能。高容量存储是数据存储优化的单位容量成本(美元/ GB)。高容量存储解决方案是为了适应二级工作负载(或更高版本),如虚拟机备份,电子邮件和测试/ dev环境。

人们也问:

1。大容量存储的好处是什么?

部署自己的大容量存储解决方案的好处包括:

  • 降低存储成本
  • hyper-consolidate大量数据的能力
  • 优化存储成本存储层的灵活性
  • 最佳的二级工作负载的存储容量和性能

2。高容量存储用例是什么?

高容量存储是最好的用于Tier 2应用程序,如:

  • 灾难恢复2层的应用程序
  • 备份、快照和镜像
  • 多重云测试/ dev工作负载整合
  • 基于策略的VM-tiering

3所示。QLC闪光是什么?

Quad-level细胞(QLC) flash是一个capacity-optimised NAND内存技术,提供了一个per-terabyte成本相匹配或比硬盘驱动器(hdd)。

4所示。QLC和SLC和多层陶瓷和薄层色谱

QLC flash中最新的一个长期趋势的挤压更位/细胞在NAND闪存设备。这里有一个简短的概述的技术随着时间的推移演变:

  • 单层细胞(SLC)闪光:一位细胞,两种可能的电压状态
  • 多层细胞(多层陶瓷)闪光:两位/细胞,四种可能的电压状态
  • Triple-level细胞(TLC)闪光:三位/细胞,八可能电压状态
  • Quad-level细胞(QLC)闪光:每单元4个字节,16个可能电压状态

不相信我们的话

我们使用最好的所有行业。

“FlashArray,我们能够巩固我们的绩效导向和capacity-oriented工作负载在一个平台,简化我们的环境,使我们能够利用公共数据服务和分析所有数据”。

肖恩·唐纳森
首席技术官,管理服务部门

“我们相信FlashArray / / C的最大的好处是消除慢时不时的需要的解决方案。我们很兴奋地看到纯存储引入一个all-NV亚搏充值后支付宝能申诉吗Me容量闪存解决方案。”

基思•马丁
工程总监云能力
NVME高容量存储应用程序

NVMe FlashArray /性能/ X

FlashArray / / X是所有的flash, 100%其中,100% NVMe存储用于支持从入门级到主流企业环境和下一代原生云应用程序。

800-379-7873 + 44 3870 2633 43 + 720882474 + 32 (0)84 80 560 + 33 9 75年18 86 78 + 49 89 12089 253 + 353 1 485 4307 + 39 02 9475 9422 49 + 31 (0)20 201 65 + 46 - 101 38 93 22 + 45 2856 6610 + 47 2195 4481 + 351 210 006 108 + 966112118066 + 27 87551 7857 51 + 34 889 8963 + 41 80年52 31日624 21 + 90 850 390 64 + 971 4 5513176 + 7 916 716 7308 + 65 3158 0960 + 603 2298 7123 + 66 (0)2624 0641 + 84 43267 3630 + 62 21235 84628 + 852 3750 7835 + 82 2 6001 - 3330 + 886 2 8729 2111 + 61 1800 983 289 + 64 21 536 736 55 + 11 2655 - 7370 55 + 52 9171 - 1375 + 56 2 2368 - 4581 + 57 - 1 383 - 2387