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QLC-Flash(四电平单元)是kapazitätsoptimierte nand - speichertechnology, beder Kosten pro Terabyte denen von hdd(硬盘驱动器)在diesen liegen下使用。我的名字和deutet, speichert QLC vier Bits pro Zelle and lifert NVMe-Performance mit höheren Kapazitäten。
QLC-Flash IST der Neuste Schritt在Einer Entwicklung,Diezum Ziel Hat,Imher Mehr Bits Pro Zelle AUF EINER NAND-Flash-Einheit Unterzurbringen。Erhalten Sie Hier EineKurzübersichtdarüber,Wie Sich Diese Technologie Im Laufe der Zeit WeiterentWickelt Hat。
你看到了什么,我看到了什么möglicher Spannungszustände我看到了zusätzlichen在NAND-Zelle gespeicherten Bit。如果您在这里工作,请在这里工作,erhöhen,它将是一个自动化系统,它将在这里工作Kapazität和Komplexität。
Zum Ausgleich für die zusätzliche Komplexität beim Verwalten mehrerer Spannungszustände bei Lese-/Schreibvorgängen ist größere elektrische Präzision erforderlich。在实践中,我们的表演和我们的生活是NAND-Geräts bedeuten。
在P / E-Zyklen(Program / Erase)Gemessen的Die Nand-Lebensdauer Wird。Bisher Konnten Hersteller QLC-Flash Mit 1.000 P / E-Zyklen Produzieren是UM MehrereGrößenordnungenUnter Dem LieGt,是MIT SLC-Flash(100.000 P / E-Zyklen)MöglichIst。
性能和Langlebigkeit sjedoch相对。Flash的模态性能可以通过以下方法获得:Größenordnungen höher在hdd和gibt Möglichkeiten中,通过QLC (SLC-Flash缓存)实现。在tlc的开始阶段,tlc的技术是最重要的,我们将了解到flash -存储-阵列的性能,Zuverlässigkeit和TLC-NAND。QLC-Flash的Entwicklung是jetzt möglich,是全闪存的Schnelligkeit是Kapazitätskosten是nutzen,是Kosten für HDD-Storage-Arrays的缩写是soterbieten können。
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QLC-Flash-Speicher的汇报:
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NVMe-Performance是指性能All-QLC-Enterprise-Storage-Array德布兰切