Что тако ое фл о т т qlc ?

Что тако ое фл о т т qlc ?

Флэш——памятьчетырехуровневойячейки(QLC)——этооптимизированнаяпоемкоститехнологияпамятиNAND,прииспользованиикоторойстоимостьодноготерабайтаневыше,чемприиспользованиижесткихдисков(HDD)。Какследуетизназвания,QLCхранитчетыребитанаячейку,имеетпроизводительностьNVMeиповышеннуюемкость。

Сравнение qlc, slc, MLC TLC

Флэш——памятьQLC——новейшеедостижениевдлительномтрендезаписибольшегоколичествабитовнаячейкувустройствахсфлэш——памятьюNAND闪存。Нижевкратцеописано,какразвиваласьэтатехнологиястечениемвремени:

• Флэш——памятьодноуровневойячейки(SLC):Одинбитнаоднуячейку,двавозможныхсостояниясогласнонапряжению
• Флэш——памятьмногоуровневойячейки(多层陶瓷):Двабитанаоднуячейку、четыревозможныхсостояниясогласнонапряжению
• Флэш——памятьячейкистремяуровнями(TLC):Трибитанаоднуячейку,восемьвозможныхсостоянийсогласнонапряжению
• Флэш——памятьчетырехуровневойячейки(QLC):Четыребитанаоднуячейку、16возможныхсостоянийсогласнонапряжению

Каквидим,количествовозможныхсостоянийсогласнонапряжениюудваиваетсяскаждымдополнительнымбитом,сохраненнымвячейкеNAND闪存。Существуетнеизбежныйкомпромиссмеждуемкостьюисложностьюприувеличенииколичествабитовводнойячейке。

Чтобысправитьсясвозрастающейсложностьюуправлениямножественнымисостоянияминапряженияпричтениз/иаписинеобходимоповышатьэлектрическуюточность。НапрактикеэтоможетпривестикснижениюпроизводительностиидолговечностиустройстваNAND闪存。

ДолговечностьNANDизмеряетсявциклахпрограммирования/стирания(P / E)。Покачтопроизводителямудаетсясоздаватьфлэш——памятьQLC 1000цсикловP / E,чтонапорядкименьше,чемдляфлэш——памятиSLC(100 000цикловP / E)。

Нопроизводительностьидолговечностьвзаимосвязаны。Производительностьфлэш——накопителейппо——режнемунапорядкивыше,чемуHDD,исуществуютспособыобойтиограничениядолговечностиQLC(например,спомощьюфлэш——памятиSLCвкачествекэша)。ЭтажепроблемазамедлилавнедрениепамятиTLC,когдаонавпервыепоявилась,носовременемтехнологияулучшилась,исегоднябольшинствокорпоративныхмассивовфлэш——СХДобеспечиваютвысокуюпроизводительность,надежностьискоростьзасчетTLC NAND闪存。Споявлениемфлэш——памятиQLCтеперьможнодобитьсяскорости所有的flashСХДпристоимостиединицыемкостиневышестоимостимассивовСХДнабазе硬盘。

Преимущества фл к к к т т QLC

Общие преимущества фл к к м т qlc:

• Сниженнаясовокупнаястоимостьвладения(TCO)длярабочихсред,вкоторыхчтениезанимаетцентральноеместо
• Уменьшениетребованийпоресурсамидляцентровобработкиданных
• Экспоненциальноеувеличениеемкостиприскорости所有的flash

Почемустоитвыбрать纯存储亚搏充值后支付宝能申诉吗вкачествефлэш——памятиQLC吗?

В纯亚搏充值后支付宝能申诉吗存储®FlashArray / / Cнеиспользуютсямодулифлэш——памятиSSD,вотличиеотрешенийдругихпоставщиковСХД。СпомощьюмодулейDirectFlash®纯исходнаяфлэш——памятьможетподключатьсянапрямуючерезNVMe,засчетчегоснижаетсязадержкаиповышаетсяпропускнаяспособность。БлагодаряэтомуFlashArray / / Cмаксимальноповышаетпроизводительностьсвоихмодулейфлэш——памятиQLCивместестемобеспечиваетстоимостьединицыемкости,сравнимуюсостоимостьюгибридныхмассивовСХДимассивовнаоснове硬盘。

ДругиепреимуществаиспользованияFlashArray / / CдлятребованийкСХД:

• СХД常绿™длянастоящихбесперебойныхобновленийснулевымвременемпростояилибезпереносаданных
• В опера н ион о с е е纯度дляуправлениявсемиресурсамиСХД,каклокальными,такиоблачными,используетсяединаяпанель
• Дляуправлениярабочимисредами,какчувствительнымикпроизводительности,такинацеленныминаемкость,требуетсясовременноерешениедляхраненияданныхсвозможностьюгибкойэксплуатации

ПроизводительностьNVMeссамойнизкойстоимостьюипервымвотрасли所有的qlc масс си о о ом СХД ко по са тивн но о о о к класс с